本发明公开了一种高压半导体元件及其操作方法。高压半导体元件包括一高压金属氧化物半导体晶体管及一NPN型静电保护双极晶体管。高压金属氧化物半导体晶体管具有一漏极及一源极。NPN型静电保护双极晶体管具有一集极及一发射极。集极电性连接于漏极。发射极电性连接于源极。