一种制造高性能氮化物半导体发光元件的方法，其方法具有：在基板上形成n型氮化物半导体层的工序、在n型氮化物半导体层上形成发光层的工序、在发光层上形成p型氮化物半导体层的工序、在包含氧的环境中把p型氮化物半导体层以第一温度进行热处理的工序、在真空环境中把以第一温度热处理过的p型氮化物半导体层以比第一温度低的第二温度进行热处理的工序。