本发明涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。一种半导体基板，包括从第一表面向第二表面延伸的通孔。充当通孔的底部的电极焊盘层被设置在第二表面上。绝缘层被形成在半导体基板的第一表面和通孔的侧壁上。金属层被形成在半导体基板的第一表面和通孔的侧壁上，其中，绝缘层介于其间并直接在通孔的底部上形成。在通孔的侧壁上形成倾斜表面，使得通孔的底部具有比通孔的开口端的开口尺寸小的开口尺寸。倾斜表面具有凹凸部。