本发明提供了一种金属氧化物半导体晶体管的制作方法，在源/漏层与沟道之间形成第二侧壁层，且在半导体衬底表面和源漏层之间形成空气埋层。在确保减小漏耗尽层扩展导致的漏电流的基础上，减小源漏寄生电容，并且减小了热预算。