一种半导体器件，包括：布线层，形成在半导体晶片上方；通路层，位于所述布线层之间；导电薄膜，位于所述布线层中；以及通路塞，位于所述通路层中，连接位于上方和下方的布线层的导电薄膜；划片区，沿所述半导体衬底的边缘位于芯片区的外缘且包括位于所述边缘附近的焊盘区，在平面图中，所述焊盘区与所述多个布线层的导电薄膜重叠，所述多个布线层包括第一和第二布线层，在平面图中，所述第一布线层的导电薄膜包括形成在所述焊盘区的整个表面上方的第一导电图案，以及在平面图中，所述第二布线层的导电薄膜包括形成在一部分所述焊盘区中的第二导电图案。本发明能够在半导体衬底中抑制裂纹的形成。