一种化合物半导体器件，包括：包括载流子传输层2和载流子供给层3的氮化物半导体堆叠结构4；设置在所述氮化物半导体堆叠结构上方的源电极5和漏电极6；设置在所述氮化物半导体堆叠结构上方、在所述源电极和所述漏电极之间的栅电极7；至少部分地设置在所述栅电极和所述漏电极之间的场板8；和在所述氮化物半导体堆叠结构上方形成的多个绝缘膜9和10，其中所述多个绝缘膜的界面数目在所述场板和所述漏电极之间小于在所述栅电极附近。