本发明涉及半导体衬底、形成半导体衬底和集成电路的方法。提供了一种在沟道和绝缘体之间采用宽带隙材料的改善的半导体衬底。一种半导体衬底包括由Ⅲ-Ⅴ族材料构成的沟道层；绝缘体层；以及在沟道层和绝缘体层之间的宽带隙材料，其中在沟道层和宽带隙材料之间的导带偏移（ΔE_c）在0.05eV和0.8eV之间。沟道层可以由例如In_1-xGa_xAs或In_1-xGa_xSb构成，其中x从0到1变化。宽带隙材料可以由例如In_1-yAl_yAs、In_1-yAl_yP、Al_1-yGa_yAs或In_1-yGa_yP构成，其中y从0变化到1。