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半导体器件的形成方法
编号:S000018194 刷新日期: 有效日期至:2020-10-27 浏览:3009 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种半导体器件的形成方法,包括:提供半导体基底,所述半导体基底上具有若干焊盘;在所述半导体基底上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层具有暴露所述焊盘的第一开口;在所述焊盘上形成柱状电极,所述柱状电极包括本体和位于本体中并贯穿所述本体的通孔,所述通孔暴露焊盘表面;在所述柱状电极上形成焊球,所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述通孔的填充部。形成的焊球与柱状电极构成类似插销的结构,提高了焊球与柱状电极之间的结合力。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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