一种双层隔离纵向堆叠式半导体纳米线MOSFET，包括：半导体衬底；第一半导体纳米线MOSFET，进一步包括第一半导体纳米线组以及第一栅氧化层；第二半导体纳米线MOSFET，进一步包括第二半导体纳米线组以及第二栅氧化层；隔离介质层，设置在所述第一半导体纳米线MOSFET与所述第二半导体纳米线MOSFET之间；埋氧层，设置在所述第一半导体纳米线MOSFET与所述半导体衬底之间。本发明采用第一半导体纳米线MOSFET具有纵向堆叠式第一半导体纳米线组和第二半导体纳米线MOSFET具有纵向堆叠式第二半导体纳米线组的结构设计可以完全独立的进行工艺调试，且器件集成度高。同时改善场效应晶体管的电学性能，成倍的增大了器件电流驱动能力，并适用于前沿纳米器件技术领域。