本发明涉及一种具有本征半导体层的晶片，本发明还涉及一种用于制造晶片的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上提供掺杂层；在所述掺杂层上提供第一半导体层；在所述第一半导体层上提供掩埋氧化物层；以及在所述掩埋氧化物层上提供第二半导体层。