本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：基础层，其形成在含Al的氮化物半导体层上，该含Al的氮化物半导体层形成在硅衬底上，基础层包含GaN；以及功能层，其被设置在基础层上，功能层包括第一半导体层，第一半导体层的杂质浓度高于基础层的杂质浓度，且第一半导体层包含第一导电类型的GaN。含Al的氮化物半导体层包括多层结构体，多层结构体包括第一层和多个第二层，第一层被设置在第二层之间。第一层和第二层包含氮化物半导体。第一层的Al组成比低于第二层的Al组成比。基础层的厚度大于第一层的厚度且小于第一半导体层的厚度。