本发明得到一种温度依赖性小、不需要在原子层等级的膜厚控制等并且灵敏度高的半导体感光元件。在n型InP衬底（1）上设置有至少具有光吸收层（4）的半导体层叠构造（2）。光吸收层（4）由与n型InP衬底（1）晶格匹配的InGaAsBi层构成。由于InGaAsBi的带隙小，所以得到高的感光灵敏度。此外，由于InGaAsBi的带隙相对于温度变化为固定，所以感光灵敏度的温度依赖性变小。此外，由于光吸收层（4）由与n型InP衬底（1）晶格匹配的InGaAsBi层构成，所以不需要在原子层等级的膜厚控制等。