本发明公开了一种半导体装置的制作方法，其步骤包括：提供一半导体基底，且半导体基底包括有一第一有源区以及一第二有源区。接着，依次于半导体基底上形成一含掺杂剂的第一导电层以及一未含掺杂剂的第二导电层。然后，对第一有源区的第二导电层进行一第一离子注入工艺，其中第一离子注入工艺所使用的掺杂剂与第一导电层的掺杂剂不同。