本发明涉及常关闭型化合物半导体隧道晶体管。本文公开了常关闭型化合物半导体隧道场效应晶体管的实施例，常关闭型化合物半导体隧道场效应晶体管在室温下具有高于100mA每mm栅极长度的驱动电流和低于60mV每十倍的亚阈值斜率，并且公开了制造此类常关闭型化合物半导体隧道晶体管的方法。化合物半导体隧道场效应晶体管是快速切换的且能够用于高电压应用，例如30V直至600V以及更高。