本发明公开了一种形成接合半导体结构的方法及用该方法形成的半导体结构。形成半导体器件的方法包括：提供基板，该基板包括位于电气绝缘材料层上的半导体材料层。在半导体材料层的第一侧上形成第一金属化层。贯穿晶圆互连形成为至少部分地穿过基板。在半导体材料层的与第一侧相反的第二侧上形成第二金属化层。提供电气路径，该电气路径在半导体材料层的第一侧上由基板承载的第一被处理的半导体结构与半导体材料层的第一侧上由基板承载的第二被处理的半导体结构之间延伸穿过第一金属化层、基板和第二金属化层。使用这样的方法制造半导体结构。