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> 技术详情
半导体鳍上的反熔丝
编号:S000018125
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-18
浏览:
2484
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种器件包括:衬底;隔离区,位于衬底的表面处;以及半导体区,位于隔离区的顶面上方。导电部件被设置在隔离区的顶面上方,其中,导电部件邻近半导体区。介电材料设置在导电部件和半导体区之间。介电材料、导电部件、以及半导体区形成反熔丝。本发明还提供了半导体鳍上的反熔丝。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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