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半导体鳍上的反熔丝
编号:S000018125 刷新日期: 有效日期至:2020-11-18 浏览:2484 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种器件包括:衬底;隔离区,位于衬底的表面处;以及半导体区,位于隔离区的顶面上方。导电部件被设置在隔离区的顶面上方,其中,导电部件邻近半导体区。介电材料设置在导电部件和半导体区之间。介电材料、导电部件、以及半导体区形成反熔丝。本发明还提供了半导体鳍上的反熔丝。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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