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> 技术详情
双层隔离半导体纳米线MOSFET
编号:S000018123
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-12
浏览:
2207
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种双层隔离半导体纳米线MOSFET,包括:半导体衬底;第一半导体纳米线MOSFET,进一步包括第一半导体纳米线和第一栅氧化层;第二半导体纳米线MOSFET,进一步包括第二半导体纳米线和第二栅氧化层;隔离介质层,设置在所述第一半导体纳米线MOSFET与所述第二半导体纳米线MOSFET之间;埋氧层,设置在所述第一半导体纳米线MOSFET与所述半导体衬底之间。本发明中的第一半导体纳米线MOSFET与第二半导体纳米线MOSFET通过隔离介质层间隔,可独立的进行工艺调试,且器件集成度高。同时本发明中第一半导体纳米线MOSFET和第二半导体纳米线MOSFET采用不同类型的场效应晶体管改善了电学性能。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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