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双层隔离半导体纳米线MOSFET
编号:S000018123 刷新日期: 有效日期至:2020-10-12 浏览:2207 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种双层隔离半导体纳米线MOSFET,包括:半导体衬底;第一半导体纳米线MOSFET,进一步包括第一半导体纳米线和第一栅氧化层;第二半导体纳米线MOSFET,进一步包括第二半导体纳米线和第二栅氧化层;隔离介质层,设置在所述第一半导体纳米线MOSFET与所述第二半导体纳米线MOSFET之间;埋氧层,设置在所述第一半导体纳米线MOSFET与所述半导体衬底之间。本发明中的第一半导体纳米线MOSFET与第二半导体纳米线MOSFET通过隔离介质层间隔,可独立的进行工艺调试,且器件集成度高。同时本发明中第一半导体纳米线MOSFET和第二半导体纳米线MOSFET采用不同类型的场效应晶体管改善了电学性能。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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