本发明适用于半导体技术领域，提供了一种配设于具有P型衬底的半导体集成电路中的整流器，该整流器结构为：设置一P型衬底，并在所述P型衬底上形成两个第一P+区；在所述P型衬底上扩散形成两个相离的N阱，并在所述两个N阱上各自形成第一N+区；在所述两个N阱中各自扩散形成P阱，并在两个所述P阱上各自形成至少一个第二P+区；在所述两个P阱中各自注入形成一个N型掺杂区，并在所述两个N型掺杂区上各自形成第二N+区，使得应用在内部集成了原本为分立元件的整流器的半导体集成电路，可简化外围电路的布局，减小PCB的体积，降低生产成本。