本发明公开了一种可产生具有不同直径的半导体通孔的半导体制程方法，其包含：提供第一材料与不同于该第一材料的第二材料；以及使用蚀刻制程来对第一材料与第二材料进行蚀刻以形成通过第一材料与第二材料的半导体通孔；其中蚀刻制程针对第一材料与第二材料会具有不同的蚀刻率，这样一来半导体通孔会具有不同的直径；其中该半导体通孔包含第二部分以及位在该第二部分之下的第三部分；其中该第三部分的直径小于该第二部分的该直径；其中该第二部分会一并接触该第一材料与该第二材料，以及该第三部分只会接触该第二材料。