本发明的课题在于得到一种半导体装置，其能够在降低反向恢复功耗的同时提高耐压并抑制浪涌电压。在N^－型漂移层（1）的上侧设置有P型阳极层（2）。在N^－型漂移层（1）的下侧设置有N⁺型阴极层（3）。在N^－型漂移层（1）与P型阳极层（2）之间设置有第1短寿命层（4）。在N^－型漂移层（1）与N⁺型阴极层（3）之间设置有第2短寿命层（5）。载流子在第1短寿命层（4）及第2短寿命层（5）中的寿命τ2短于在N^－型漂移层（1）中的寿命τ1(τ2＜τ1)。在N⁺型阴极层（3）中的寿命τ3长于在N^－型漂移层（1）中的寿命τ1(τ1＜τ3)。