一种半导体装置，即使在以包围与指形状的源电极、漏电极连接的各N＋型源极层、N＋型漏极层的方式构成P＋型接触层的情况下，在施加浪涌电压时各指部的寄生双极晶体管也均匀地接通。以包围互相平行延伸的多个N＋型源极层（9）、N＋型漏极层（8）的方式形成P＋型接触层（10）。在N＋型源极层（9）上、N＋型漏极层（8）上及向与N＋型源极层（9）延伸的方向垂直的方向延伸的P＋型接触层（10）上分别形成金属硅化物层（9a、8a、10a）。经由形成于在金属硅化物层（9a、8a、10a）上堆积的层间绝缘膜（13）的接触孔（14），形成与该各金属硅化物层连接的指形状的源电极（15）、漏电极（16）及包围该指形状的各电极的P＋型接触电极（17）。