本发明的目的在于得到一种能够改善绝缘耐受性的半导体装置。在Si基板（10）（基板）上设置有栅极电阻（7）（下布线）。层间绝缘膜（12）覆盖栅极电阻（7）。在层间绝缘膜（12）上设置有彼此分离的铝布线（5a、5b）（第一以及第二上布线）。半绝缘性的保护膜（4）覆盖铝布线（5a、5b）。在栅极电阻（7）的正上方，在铝布线（5a）和铝布线（5b）之间的区域不设置保护膜（4）。