本发明提供半导体装置。实现确保期望的击穿电压且流过大的放电电流的ESD保护特性良好的ESD保护元件。由适合的杂质浓度的N+型嵌入层（2）和P+型嵌入层（3）形成的PN结二极管、将与P+型扩散层（6）连接的P+型嵌入层（3b）为发射极且将N-型外延层（4）为基极且将P+型嵌入层（3）为集电极的寄生PNP双极型晶体管构筑ESD保护元件。P+型嵌入层（3）与阳极电极连接，P+型扩散层和围绕它的N+型扩散层（7）与阴极电极连接。如果阴极电极被施加正的大静电，则PN结二极管击穿，通过其放电电流（I1）导致N-型外延层的电位低于P+型嵌入层（3），寄生PNP双极型晶体管导通，流过大的放电电流（I2）。