本发明涉及一种半导体装置。稳定板部(33)形成于由第1和第2绝缘栅型场效晶体管部(32)所夹的第1主面(1A)的区域。稳定板部(33)包含：最靠近第1绝缘栅型场效晶体管部(32)配置的第1稳定板(5b)；和最靠近第2绝缘栅型场效晶体管部(33)配置的第2稳定板(5b)。发射极电极(11)与第1和第2绝缘栅型场效晶体管部(32)的各个发射极区域(3)电连接，并且与第1和第2稳定板(5b)分别电连接，而且隔着绝缘层(4b)配置在由第1和第2稳定板(5b)所夹的第1主面(1A)的整个面上。