半导体器件，包括栅极、源极、漏极和沟道区，还包括包围漏极的漂移区，所述沟道区包围漂移区，所述沟道区外侧为源极，所述栅极和源极分为数量相同的至少两个。采用本发明所述的半导体器件，将两个或多个半导体器件的漏端和漂移区共用，使版图布局和芯片的连线得到优化，并且减少了器件面积，降低生产成本；满足开关电源系统对低待机功耗控制电路的需求，使芯片的功率损耗降低；在兼容CMOS工艺基础上开发了该器件，使该器件更具实用性。