本发明涉及半导体装置，目的在于提供能有效利用浪涌电压的能量的技术。半导体装置具有：并联连接体(1)，包括在第一和第二连接点(71、72)间并联连接的IGBT(1a)及恢复二极管(1b)；第一缓冲器件(SD1)，具有IGBT(1a)的耐压以下的钳位电平；第二缓冲器件(SD2)，具有向IGBT(1a)的驱动电路(53)提供电力的电力提供部(54)的输出电压以上的钳位电平。第一缓冲器件(SD1)的一个端子经第一连接点(71)与并联连接体(1)的一端连接，第一缓冲器件(SD1)的另一个端子经第三连接点(73)与第二缓冲器件(SD2)的一个端子连接，第二缓冲器件(SD2)的另一个端子经第二连接点(72)与并联连接体(1)的另一端连接。半导体装置经第二及第三连接点(72、73)向电力提供部(54)反馈电力。