本发明涉及半导体器件和制造方法。具体而言，本发明公开了用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上依次形成第一半导体层、第二半导体层以及包含p型杂质元素的半导体盖层；在形成半导体盖层之后，形成具有开口的介电层；在从介电层的开口露出的半导体盖层上形成包含p型杂质元素的第三半导体层；以及在第三半导体层上形成栅电极。