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半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法、半导体元件的制造方法
编号:S000018023
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-24
浏览:
2391
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供一种能够利用划线形成良好的裂纹的半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法以及半导体元件的制造方法。使用半导体晶片的外延生长层在该半导体晶片的面方向排列形成有多个光半导体元件(具体地说,半导体激光器)。InGaAs外延层具有在多个光半导体元件之间连续地设置并且使该InGaAs外延层之下的层至少相对于该InGaAs外延层之上的层露出的部分(具体地说,开口部或者槽)。沿着该部分进行划线,由此,能够形成垂直发展的裂纹。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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