本发明涉及功率半导体器件。一种半导体器件包括具有半导体层的垂直功率半导体芯片。第一端子在半导体层的第一侧处并且第二端子在半导体层的、沿着第一方向与第一侧相对的第二侧处。漂移区在第一端子和第二端子之间的半导体层内。该漂移区在中央部分中具有沿着垂直于第一方向的第二方向的至少100MPa的压应力。该中央部分沿着第一方向从漂移区的总体延伸部的40%延伸到60%并且相对于半导体层的第一侧和第二侧中的至少一个进入半导体层的至少10μm的深度中。