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半导体结构
编号:S000018015 刷新日期: 有效日期至:2020-12-05 浏览:2479 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明有关于一种半导体结构,共用电极与栅极之间具有水平间距,以避免外来的光线被共用电极反射至栅极上的通道层。本发明的半导体结构提供与共用电极直接接触的透明导电层以维持电容值,且由于透明导电层不会反射外来的光线,故不会有光漏电的情形。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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