一种半导体器件，包括：由半导体制成的电子传输层，该电子传输层具有第一带隙；设置在电子传输层上的电子供给层，该电子供给层由具有宽于第一带隙的第二带隙的半导体制成；设置在电子供给层上的势垒形成层，该势垒形成层由具有窄于第二带隙的第三带隙的半导体制成；设置在势垒形成层上的上沟道层，该上沟道层由掺杂有杂质的半导体制成；通过部分地移除势垒形成层和上沟道层形成的势垒形成层和上沟道层的侧表面；设置在上述侧表面上的绝缘膜；设置在绝缘膜上的栅电极；连接至上沟道层的源电极；以及连接至电子供给层或电子传输层的漏电极。