本发明涉及一种半导体装置，其包括电路载体、结合配线以及至少N个半桥电路。N是总计至少为1的整数。该电路载体包括第一金属层、第二金属化层、配置在第一金属层和第二金属化层之间的中间金属化层、配置在中间金属层和第二金属化层之间的第一绝缘层以及配置在第一金属层和中间金属化层之间的第二绝缘层。各半桥电路包括第一电路节点、第二电路节点和第三电路节点、可控的第一半导体开关和可控的第二半导体开关。各半桥电路的第一半导体开关和第二半导体开关配置在第一金属化层的背向第二绝缘层的一侧。结合配线在第一结合位置直接结合到中间金属化层。