本发明涉及半导体装置。在被集电极电极（18）与半导体衬底（1）夹着的区域存在有空洞区域（4）的部分和没有空洞区域的部分。在未形成有空洞区域的半导体衬底（1）的部分与集电极电极（18）之间形成有利用绝缘膜（2）、绝缘膜（20）以及绝缘膜（17）进行电隔离的浮置硅层（21）。