一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法，该方法有六大步骤：步骤1：建立能够反映GaAs FET物理结构的等效电路图；步骤2：确定等效电路模型元件与物理结构的关系；步骤3：研究确定模型元件受温度影响的物理机制；步骤4：建立模型元件与温度之间的函数关系；步骤5：GaAs FET等效电路模型在微波EDA软件中的实现；步骤6：模拟GaAs FET关键性能参数随温度的变化关系。本发明能够仿真砷化镓场效应管性能参数与其物理结构之间的关系，能够预测温度对砷化镓场效应管性能参数的影响，方便器件设计人员进行结构设计和工艺参数优化。它在微电子技术领域里具有较好的实用价值和良好的应用前景。