本发明公开了一种片式多层陶瓷电容器用低损耗微波介质陶瓷材料，其化学式为Zn₃(Nb_0.8Ta_0.2)₂O₈，采用化学原料ZnO、Nb₂O₅、Ta₂O₅，于900℃煅烧合成前驱体，于1100～1180℃烧结。本发明通过使用Ta⁵⁺对Nb⁵⁺进行了少量取代，有效提高了其品质因数(60,823～98,700GHz)，其烧结温度为：1100～1180℃，介电常数为20～24，谐振频率温度系数为-40～-37×10^-6/℃。此外，本发明制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。