本发明公开了一种SOI硅片的制备方法，属于SOI晶圆的制备技术领域。该方法针对利用热微波切割法（TM-SOI）获得的SOI（Silicon On Insulator）硅片，采用HCl化学刻蚀去除SOI损伤层和减小粗糙度，获得高质量的SOI硅片。应用本发明方法不但能够去除利用热微波切割法（TM-SOI）制备的SOI（Silicon On Insulator）层表面的损伤层、表面粗糙现象，同时能够获得极高表面平坦度的SOI硅片。