用户登录
用户注册
English
技术供应
>技术供应
>技术需求
>协作成员
>专家委员
>新闻资讯
首页
中心简介
新闻资讯
工作动态
行业资讯
特别关注
热点视频
技术供应
技术需求
协作成员
专家智库
专家咨询委员会
数字展会
成功案例
配套服务
下载中心
《中阿科技论坛》
您当前的位置:
首页
>
供应列表
> 技术详情
一种囊泡状介孔二氧化硅的合成方法
编号:S000007689
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-01
浏览:
3069
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 山东
技术领域:
医疗卫生 - 生物医药
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种囊泡状介孔二氧化硅的合成方法,按质量比SDS:CTAB:TEOS:H
2
O=1:(2.2-2.4):(15.5-16.0):100称取CTAB、SDS、TEOS、去离子水;将十二烷基硫酸钠和十六烷基三甲基溴化铵先后溶解在去离子水中形成白色溶液,搅拌2-3h后,在搅拌状态下加入正硅酸乙酯,15-25℃继续搅拌24h,然后转移到聚四氟乙烯高压水热釜中100℃条件下老化24h,将反应物抽滤、水洗、室温干燥,在550℃空气氛围中煅烧6h得到目标产物。本发明合成方法简单,反应温度温和,制得的介孔二氧化硅具有单室囊泡的骨架结构,呈现空心球或颗粒状形貌,孔径分布在200-400nm范围内,可以应用于吸附分离,药物包裹,药物缓释和药物传输等领域。
分享到:
申请对接
收藏此供应
推荐给好友
穿越到手机
联系方式
在线QQ:
机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
认证方式:
相似供应
半导体封装构造
所在区域:中国
转让类型:
合作研发
半导体存储卡
所在区域:中国
转让类型:
科技服务
制造半导体器件的方法
所在区域:中国
转让类型:
技术转让
半导体激光装置
所在区域:中国
转让类型:
科技服务