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> 技术详情
双门控雪崩光电二极管单光子探测方法
编号:S000068982
刷新日期:
有效日期至:
2020-09-29
浏览:
2461
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
信息通信 - 电子信息及通讯
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及保密通讯类,具体的讲是涉及一种反向电压门与探测门分离的双门控雪崩光电二极管单光子探测方法,该方法通过使用较宽的门偏压,使得门偏压前、后沿的微分信号和雪崩信号分离,即雪崩信号远离尖峰,因而在单光子探测时信号很容易被捕获,其优点是,门偏压与光子信号不重叠,雪崩信号远离门偏压前、后沿的尖峰,很容易捕获信号,对环境变化不敏感,工作稳定,成本低,对于光子到达时间有微小变化的情况下,只需扫描探测门,而无须改变APD脉冲偏压的工作频率,大大改善了工作稳定性。
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