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控制离子注入的方法和装置
编号:S000068879 刷新日期: 有效日期至:2020-12-24 浏览:2314 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:信息通信 - 电子信息及通讯
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种控制离子注入的方法和装置,该装置包括产生束流装置、晶片、法拉第杯、晶片驱动器、控制器、真空系统装置、真空腔体,其中产生束流装置产生一个直线束流;该束流垂直注入到晶片当中;法拉第杯检测束流值,输出一个反映束流大小的信号给控制器;晶片驱动器与控制器进行通讯,通过接受控制器传送的参数命令驱动晶片进行上下扫描;束流在传输过程中处于一个密封的真空腔体内,其真空环境则依靠真空系统装置来维持;控制器控制注入剂量。本方法用直接检测束流变化的方式为控制离子注入补偿提供依据,而不是去检测真空压力的变化,从而达到控制离子注入均匀性和剂量准确性的目的。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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