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现场可编程门阵列中RAM的三维读写方法
编号:S000068564 刷新日期: 有效日期至:2020-11-04 浏览:3047 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:信息通信 - 电子信息及通讯
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种现场可编程门阵列中RAM的三维读写方法,属于通讯技术领域,该方法包括:(1)RAM的总数据个数L=X*Y,将现场可编程门阵列中RAM的数据结构构造成长方体;(2)长方体沿a方向的高度为W,沿b方向的长度为X或Y,沿c方向的宽度为X或Y;(3)将长方体沿c方向切割X或Y个截面,依次在每个截面上按照写入数据;(4)当写到数据L-Y时,将长方体沿b方向切割X或Y个截面,依次读取每个截面上的数据。本发明利用三维地址操作思想,可以解决传统方案对RAM资源需求过多的问题。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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