本发明涉及一种化学机械抛光组合物，属于半导体照明LED芯片、功率器件、通讯射频器件制造技术领域，特别涉及一种用于碳化硅晶片的抛光组合物。本发明的特征在于，包括磨粒、氧化剂、腐蚀剂、抛光促进剂、抛光稳定剂和水；其中，各组分配比为：磨料为10～30wt％，氧化剂为1～15wt％，腐蚀剂为0.01～10wt％，抛光促进剂为1～10wt％，抛光稳定剂为0.1～10wt％，水余量。本发明提供的抛光组合物具有抛光去除速率高、循环抛光性能好的特点；经其抛光后的碳化硅晶片表面极其光滑，无划痕、凹坑等表面缺陷，表面粗糙度极低，呈现出清晰规整的原子台阶形貌。