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> 技术详情
基于量子阱子带间跃迁的腔致相干效应的双色全光开关
编号:S000067375
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-04
浏览:
2236
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 吉林
技术领域:
信息通信 - 电子信息及通讯
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明的基于量子阱子带间跃迁的腔致相干效应的双色全光开关,属于半导体材料技术领域。双色全光开关结构是,在GaAs材料的基底(1)上依次生长有AlAs层(2)、第一势垒层(3)、第一量子阱层(4)、第二势垒层(5)、第二量子阱层(6)、第三势垒层(7)、第三量子阱层(8)、第四势垒层(9)和连续区(10);以第一势垒层(3)至连续区(10)为一个周期,排列有6~15个周期;然后有覆盖层(11)和空气隔离层(12)。本发明可工作在中远红外波段,作为低能耗、高效率的红外辐射源的完全带隙开关,在卫星探测与通讯方面有应用价值;其结构与材料可人为地选择,并具有易于实现宽波段、微型化和集成化的优点。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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