本发明属于单晶生长，涉及遥控半导体单晶区熔生长装置及其控制方法。本发明装置包括装有温度传感器的可变温场空间晶体生长炉，数据采集器、加热功率分配器，用于远程监控和显示的中央监控台和作为远程遥测遥控通道的无线电通讯设备。本发明控制方法是根据本发明建立的晶体区熔生长数学模型，保证晶体生长的遥测遥控精度和控温精度，由控制程序接受来自远程监控的中央监控台的控制和数据指令，操作晶体生长炉，由计算显示程序计算炉内晶体生长参数，模拟显示晶体生长过程，由数据通讯程序完成数据采集器和晶体生长炉、数据采集器和中央监控台之间的通讯控制。