本发明涉及一种一维单晶刚性分子印迹ZnO电极的制备方法，在经阳极氧化预处理的钛板上通过晶种诱导低温水热法可控地生长具有目标物质分子印迹识别位点的ZnO纳米电极，并将其应用于相应的目标物质-非目标物质体系的选择性光催化氧化。与现有技术相比，本发明直接在ZnO无机材料表面构筑目标物质的识别位点，避免了由传统聚合物构筑的印迹膜在实际应用中存在的遮光和自身被降解的问题；又保证了材料本身一定的刚性和机械强度，使得目标物质结合位点可接近性强，印迹表达效果好。该电极制备工艺简单、制作成本低廉，具有一定的普适性和广泛的经济和社会效益。