本发明公开金线莲组织培养快速增殖方法，对外植体清洗消毒，接入MS培养基，前一周弱光培养，一周后强光培养，光照时间10小时/天，温度23±2℃，培养40天；接入配比为MS培养基、6-BA1.4-1.6mg/L、NAA0.2-0.3mg/L的液体培养基中增殖培养，培养条件为暗培养，温度23±2℃，培养周期45天；壮苗培养基为MS培养基，光照培养，光照时间8小时/天，温度23±2℃，培养周期12-15天；生根培养基配比：1/2MS、香蕉60g/L、活性炭1g/L、水解酪蛋白0.5g/L，光照时间10小时/天，温度23±2℃，培养周期3个月。该方法实现金线莲工业化快速繁育，缩短了培养周期。