本发明公开了一种薰衣草快速繁殖的方法，其步骤：a、以薰衣草新梢作为外植体，将新梢切成2-3cm长的茎段，用0.1%氯化汞消毒，用无菌水冲洗，再将新梢段切成1-2芽一节，接入配制好的培养基中，这种培养基包括MS基本培养基和附加不同成份的物质；置于温度为20-28℃，光照强度3000～10000Lx，每天光照12-16小时，培养5-7天，其侧芽长出新梢；b、切取培养萌发的新梢，接入配制好的培养基中进行继代培养，每15-25天扩繁一次；c、从扩繁的组培苗上切取3-5cm长的嫩梢插入全光照喷雾插床，直接进行生根和炼苗，30～40天后即可生根移栽；本发明方法易行，操作方便，繁殖、生根速度快，根系健壮、成活率高。