本发明公开了千层金组培快繁工艺，它包括以下步骤：S1、外植体灭菌，S2、启动培养，将灭菌后的外植体切割至2～3cm幼嫩茎段，接种于启动培养基中培养；S3、初代培养，将腋芽切下转移至初代培养基上进行培养；S4、继代培养，将腋芽切下转移至继代培养基中进行培养；S5、炼苗移栽，将生根健壮的千层金组培苗，洗掉培养基后，直接移栽进温室大棚苗床中。本发明的有益效果是：本发明利用组织培养技术，获得千层金组培苗，培养基配方简单，培养流程简捷，操作简便，繁殖系数较高，能够比较容易的获得千层金无菌苗，炼苗易成活；省时省力，为千层金工厂化育苗及其深加工提供了技术支持。