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> 技术详情
一种超痕量Hg(Ⅱ)去除方法
编号:S000049162
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-15
浏览:
2382
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江西
技术领域:
能源与环保 - 废物利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种超痕量Hg(Ⅱ)去除方法,其特征在于:将一种羟基修饰的MOF材料浸泡在含有超痕量Hg(Ⅱ)的废水中。本发明中的羟基修饰的MOF材料对汞离子有较高的吸附容量和高选择性,以快速、高效地去除水溶液中的痕量Hg(Ⅱ)离子,吸附效果远高于其他吸附材料,最大吸附容量为278mg/g,对初始浓度为100ppb的汞离子溶液一次处理后去除率高达87.5%,残留汞离子浓度低于12.5μg/L,远低于国家废水排放标准(50μg/L)。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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