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含CuO中间层的负载Ag掺杂MnO2-CeO2活性氧化铝
编号:S000043386 刷新日期: 有效日期至:2020-12-18 浏览:2324 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 废物利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了含CuO中间层的负载Ag掺杂MnO2-CeO2活性氧化铝粒子电极的制备工艺。将AgNO3加到异丙醇中得到溶液A,将处理后的Al2O3加到溶液A中,过滤得到颗粒B和微乳液X,用乙醇洗涤后得到颗粒D;将颗粒D加到X中过滤后得到颗粒F。利用Ce(NO3)2、CuCl2、MnCl2制备溶液B1、B2、B3、B4、B5、C、D、E、F。将颗粒F依次经过溶液B1、B2、B3、B4、B5处理后得到颗粒I。将颗粒I加到溶液C中,过滤后用乙醇洗涤并干燥得到颗粒K。将颗粒K加到溶液D中,过滤后用乙醇洗涤并干燥得到颗粒M。将M加到溶液E中,过滤后用乙醇洗涤并干燥得到颗粒O。将颗粒O加到溶液F中,过滤后用乙醇洗涤,干燥并在580℃条件下焙烧4h,即得到含CuO中间层的负载Ag掺杂MnO2-CeO2活性氧化铝粒子电极。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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