用户登录
用户注册
English
技术供应
>技术供应
>技术需求
>协作成员
>专家委员
>新闻资讯
首页
中心简介
新闻资讯
工作动态
行业资讯
特别关注
热点视频
技术供应
技术需求
协作成员
专家智库
专家咨询委员会
数字展会
成功案例
配套服务
下载中心
《中阿科技论坛》
您当前的位置:
首页
>
供应列表
> 技术详情
采用原边控制的反激拓扑结构电路
编号:S000035892
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-12
浏览:
2377
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 四川
技术领域:
能源与环保 - 先进储能技术
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种采用原边控制的反激拓扑结构电路,积分电路连接在峰值电流比较器上,峰值电流比较器连接在电感储能电路上,电感储能电路的桥式整流电路输出端连接在变压器的第一原边上,第一原边的另一端连接在N型场效应管的源极上,变压器的第二原边的一端接地,另一端上串联有电阻R1和电阻R2,电阻R1和电阻R2的公共端连接在峰值电流比较器上,N型场效应管的栅极和漏极均连接在峰值比较器上,N型场效应管的漏极通过电阻R3与地相连,变压器的副边一端接地,另一端与二极管D5的阳极相连,副边的接地端和二极管D5的阴极之间连接有电容。其优点是:使得该电路设计可用于芯片内部集成,与外围芯片参数无关,降低开发难度。
分享到:
申请对接
收藏此供应
推荐给好友
穿越到手机
联系方式
在线QQ:
机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
认证方式:
相似供应
一种硫化银量子点的制备方法
所在区域:中国
转让类型:
合作研发
一种超薄单晶硅片的直拉制备方法
所在区域:中国
转让类型:
科技服务
多芯片组件同质键合系统批生产性改进方法
所在区域:中国
转让类型:
合作研发
电磁接触器
所在区域:中国
转让类型:
合作研发